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品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor ### 二极管和整流器，Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。583920+￥0.108050+￥0.1000100+￥0.0960300+￥0.0928500+￥0.09041000+￥0.08885000+￥0.087210000+￥0.0856 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage84265+￥2.700025+￥2.500050+￥2.3600100+￥2.3000500+￥2.26002500+￥2.21005000+￥2.190010000+￥2.1600 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor47845+￥2.335525+￥2.162550+￥2.0414100+￥1.9895500+￥1.95492500+￥1.91175000+￥1.894410000+￥1.8684 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor17515+￥2.322025+￥2.150050+￥2.0296100+￥1.9780500+￥1.94362500+￥1.90065000+￥1.883410000+￥1.8576 -
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品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor 二极管和整流器，Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。912720+￥0.175550+￥0.1625100+￥0.1560300+￥0.1508500+￥0.14691000+￥0.14435000+￥0.141710000+￥0.1391 -
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品类: TVS二极管描述: 分立半导体模块 2 Amps 12000V18841+￥3038.959010+￥3011.332125+￥2997.518750+￥2983.7052100+￥2969.8918150+￥2956.0783250+￥2942.2649500+￥2928.4514 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 33.6kV 2.7A 3Pin12911+￥4715.304010+￥4672.437625+￥4651.004450+￥4629.5712100+￥4608.1380150+￥4586.7048250+￥4565.2716500+￥4543.8384 -
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品类: TVS二极管描述: 500瓦峰值功率MiniMOSORB齐纳瞬态电压抑制器 500 Watt Peak Power MiniMOSORB Zener Transient Voltage Suppressors65485+￥2.362525+￥2.187550+￥2.0650100+￥2.0125500+￥1.97752500+￥1.93385000+￥1.916310000+￥1.8900
